STK004SF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STK004SF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 1.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STK004SF

STK004SF Datasheet (PDF)

..1. Size:452K auk
stk004sf.pdf

STK004SFAdvanced N-Ch Trench MOSFETPORTABLE EQUIPMENT APPLICATION Features PIN Connection Low Voltage : BVDSS=20V(Min.) Low VGS(th) : VGS(th)=0.6~1.2V Small footprint due to small package D Low RDS(on) : RDS(on)=40m(Max.) G Ordering Information S Type No. Marking Package Code K04 STK004SF SOT-23F SOT-23F Marking Diagram

9.1. Size:461K auk
stk001sf.pdf

STK001SFAdvanced N-Ch Trench MOSFETPORTABLE EQUIPMENT APPLICATION Features PIN Connection Low Voltage : BVDSS=20V(Min.) D Low VGS(th) : VGS(th)=0.6~1.2V Small footprint due to small package D Low RDS(on) : RDS(on)=33m(Typ.) G G Ordering Information S Type No. Marking Package Code K01 SSTK001SF SOT-23F SOT-23F Marking D

9.2. Size:453K auk
stk003sf.pdf

STK003SFAdvanced N-Ch Trench MOSFETPORTABLE EQUIPMENT APPLICATION Features PIN Connection Low Voltage : BVDSS=30V(Min.) D Low VGS(th) : VGS(th)=0.6~1.2V Small footprint due to small package D Low RDS(on) : RDS(on)=40m(Max.) G G Ordering Information S Type No. Marking Package Code S K03 STK003SF SOT-23F SOT-23F Markin

9.3. Size:894K cn vbsemi
stk003sf.pdf

STK003SFwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G

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Liste

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