SUF2001 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUF2001
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8(5.3) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60(97) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03(0.072) Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de SUF2001 MOSFET
SUF2001 Datasheet (PDF)
suf2001.pdf

SUF2001Dual N and P-channel Trench MOSFET30V Dual N- and P-channel Trench MOSFET Features Low VGS(th): VGS(th)=1.0~3.0V Small footprint due to small package Low RGDS(on): N-ch, RDS(on)=24m (@ VGS=10V, ID=2.9A) P-ch, RDS(on)=66m (@ VGS=-10V, ID=-2.7A) Ordering Information Part Number Marking Code Package SOP-8 SUF2001 SUF2001 SOP-8 Marking Information
Otros transistores... STK7006P , STJ001SF , STJ004SF , STJ009 , STK001SF , STK003SF , STK004SF , SUF1002 , 50N06 , SUF3001 , SUM201MN , SUM202MN , 8N90 , 9N90 , 10N90 , 11N90 , 12N90 .
History: IPL60R199CP | 2SK1758 | SI5933CDC | RF1S4N100SM
History: IPL60R199CP | 2SK1758 | SI5933CDC | RF1S4N100SM



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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