2N70Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N70Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N70Z

2N70Z Datasheet (PDF)

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2n70z.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N70Z Power MOSFET 2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N70Z is a high voltage MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in the high speed switching applications of power suppli

0.1. Size:263K utc
2n70zl.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N70ZL Power MOSFET 2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N70ZL is a high voltage MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies

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Liste

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