UF840 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UF840 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 134 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO-220 TO-220F TO-220F1 TO-220F2 TO262 TO-263

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

UF840 datasheet

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uf840.pdf pdf_icon

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF840 Power MOSFET 8A, 500V, 0.85 , N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. FEATURES * Low RDS(ON)=0.85 * Single Pulse Ava

0.1. Size:376K utc
uf840kl-ta3-r uf840kg-ta3-r uf840kl-tf3-r uf840kg-tf3-r uf840kl-tf1-t uf840kg-tf1-t uf840kl-tn3-r uf840kg-tn3-r uf840kl-tq2-t uf840kg-tq2-t uf840kl-tq2-r uf840kg-tq2-r.pdf pdf_icon

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF840K-MTQ Power MOSFET 8A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. FEATURES * Low RDS(ON)

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