UT2305 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UT2305
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23 SOT-23-3 SOT-26

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT2305

UT2305 Datasheet (PDF)

..1. Size:297K utc
ut2305.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2305 Power MOSFET 4.2A, 20V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT2305 is P-channel enhancement mode power MOSFET, designed in serried ranks. With fast switching speed, low on-resistance, favorable stabilization. Used in commercial and industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC conve

0.1. Size:300K utc
ut2305a.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2305A Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTC UT2305A is P-channel enhancement mode Power MOSFET, designed in serried ranks. With fast switching speed, low on-resistance, favorable stabilization. Used in commercial and industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters.

0.2. Size:297K utc
ut2305l-ae2-r ut2305g-ae2-r ut2305l-ae3-r ut2305g-ae3-r ut2305l-al3-r ut2305g-ag3-r.pdf