UK3919 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UK3919
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UK3919

UK3919 Datasheet (PDF)

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uk3919.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UK3919 Power MOSFET SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION This UK3919 N-Channel Logic Level MOSFET is produced using UTC Semiconductor advanced Power Trench process which has been tailored to make the on-state resistance minimum and yet maintain low gate charge for superior switching performance especially. The UK3919 is well suited fo

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Liste

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