UT3055 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT3055
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252
Búsqueda de reemplazo de UT3055 MOSFET
UT3055 Datasheet (PDF)
ut3055.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3055 Power MOSFET 12A, 25V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-252The UTC UT3055 is N-Channel logic level enhancement mode field effect transistor. SYMBOL 2.Drain 1TO-251 1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3UT3055-TM3-T UT3055L-TM3-T TO-251 G D
Otros transistores... UML2502 , UP9T15G , UT2302 , UT2304 , UT2306 , UT2308 , UT2312 , UT2316 , RFP50N06 , UT3400 , UT3404 , UT3406 , UT3414 , UT3416 , UT3418 , UT3N01Z , UT4414 .
History: IRFS722 | STB25NM50N-1 | IPB03N03LBG | IPB039N10N3GE8187 | ZVN0124ASTOB | FQI27N25TU | IPB048N06LG
History: IRFS722 | STB25NM50N-1 | IPB03N03LBG | IPB039N10N3GE8187 | ZVN0124ASTOB | FQI27N25TU | IPB048N06LG
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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