UTN3055 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTN3055

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO-251 TO-252

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UTN3055 datasheet

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UTN3055

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTN3055 Power MOSFET 12A, 25V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTC UTN3055 is N-channel logic level enhancement mode field effect transistor. SYMBOL 2.Drain 1.Gate 3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 UTN3055L-TN3-R UTN3055G-TN3-R TO-252 G D S Tape Reel

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