FRS9140D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FRS9140D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 456 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.315 Ohm
Paquete / Cubierta: TO257AA
Búsqueda de reemplazo de FRS9140D MOSFET
FRS9140D Datasheet (PDF)
frs9140.pdf
FRS9140D, FRS9140R,FRS9140H11A, -100V, 0.315 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 11A, -100V, RDS(on) = 0.315TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD
frs9130.pdf
FRS9130D, FRS9130R,FRS9130H6A, -100V, 0.565 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 6A, -100V, RDS(on) = 0.565TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S
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History: SFB068N90C3
History: SFB068N90C3
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