FRS9140H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRS9140H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 456 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.315 Ohm

Encapsulados: TO257AA

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FRS9140H datasheet

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FRS9140H

FRS9140D, FRS9140R, FRS9140H 11A, -100V, 0.315 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 11A, -100V, RDS(on) = 0.315 TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

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FRS9140H

FRS9130D, FRS9130R, FRS9130H 6A, -100V, 0.565 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 6A, -100V, RDS(on) = 0.565 TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S

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