UT4435 Todos los transistores

 

UT4435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UT4435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 408 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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UT4435 Datasheet (PDF)

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ut4435.pdf

UT4435
UT4435

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4435 Power MOSFET 30V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT4435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SOP-8 FEATURES * RDS(ON)20m @VGS=-10V * RDS(ON) 35m @VGS=-4.5V * L

 9.1. Size:232K  utc
ut4430.pdf

UT4435
UT4435

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4430 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UT4430 uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for applications, such as high-side DC/DC conversion, notebook and sever. FEATURES * VDS(V)=30V * ID=18A (V

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