UT4435 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT4435

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 408 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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UT4435 datasheet

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UT4435

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4435 Power MOSFET 30V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT4435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SOP-8 FEATURES * RDS(ON) 20m @VGS=-10V * RDS(ON) 35m @VGS=-4.5V * L

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UT4435

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4430 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UT4430 uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for applications, such as high-side DC/DC conversion, notebook and sever. FEATURES * VDS(V)=30V * ID=18A (V

Otros transistores... UT3401, UT3401Z, UT3403, UT3409, UT3443, UT3P01Z, UT4411, UT4413, IRFZ44N, UT6401, UT70P03, UT7401, UT9435, UT9435H, UT9435HZ, UTC654, UTD405