UT4435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT4435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 408 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
- Selección de transistores por parámetros
UT4435 Datasheet (PDF)
ut4435.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4435 Power MOSFET 30V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT4435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SOP-8 FEATURES * RDS(ON)20m @VGS=-10V * RDS(ON) 35m @VGS=-4.5V * L
ut4430.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4430 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UT4430 uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for applications, such as high-side DC/DC conversion, notebook and sever. FEATURES * VDS(V)=30V * ID=18A (V
Otros transistores... UT3401 , UT3401Z , UT3403 , UT3409 , UT3443 , UT3P01Z , UT4411 , UT4413 , IRFZ44N , UT6401 , UT70P03 , UT7401 , UT9435 , UT9435H , UT9435HZ , UTC654 , UTD405 .
History: IXTP50N28T | 3SK249
History: IXTP50N28T | 3SK249



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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