UTT4425 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UTT4425
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 63 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UTT4425

UTT4425 Datasheet (PDF)

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utt4425.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4425 Preliminary Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4425 is a P-channel enhancement mode powerMOSFET using UTCs advanced trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance and extremal low gate charge with a 25V gate rating. The UTC UTT4425 is ESD protected and it is univer

9.1. Size:140K utc
utt4407.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4407 Preliminary Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4407 is a P-channel enhancement mode power MOSFET using UTCs advanced trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance and extremal lowgate charge with a 25V gate rating The UTC UTT4407 is universally applied in PWM or use

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Liste

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