UTT4425 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTT4425

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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UTT4425 datasheet

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UTT4425

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4425 Preliminary Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4425 is a P-channel enhancement mode power MOSFET using UTC s advanced trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance and extremal low gate charge with a 25V gate rating. The UTC UTT4425 is ESD protected and it is univer

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UTT4425

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4407 Preliminary Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4407 is a P-channel enhancement mode power MOSFET using UTC s advanced trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance and extremal low gate charge with a 25V gate rating The UTC UTT4407 is universally applied in PWM or use

Otros transistores... UT9435H, UT9435HZ, UTC654, UTD405, UTR4502, UTT100P03, UTT36P03, UTT4407, IRFB4110, UTT4815, UTT60P03, BSS84Z, UT30P04, UT3P06, UT5504, UT9564, UTD413