FRS9230D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FRS9230D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 158 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.32 Ohm
Paquete / Cubierta: TO257AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FRS9230D
FRS9230D Datasheet (PDF)
frs9230.pdf
FRS9230D, FRS9230R,FRS9230H4A, -200V, 1.32 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 4A, -200V, RDS(on) = 1.32TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
frs9240.pdf
FRS9240D, FRS9240R,FRS9240H7A, -200V, 0.735 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 7A, -200V, RDS(on) = 0.735TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S
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Liste
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