UTT40P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UTT40P04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0101 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-251 TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UTT40P04

UTT40P04 Datasheet (PDF)

..1. Size:149K utc
utt40p04.pdf

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9.1. Size:315K utc
utt40n03.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT40N03 Power MOSFET 40A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTT40N03 power MOSFET provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness FEATURES * RDS(ON) = 17m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability *

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Liste

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