FRS9230H Todos los transistores

 

FRS9230H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FRS9230H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 158 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA
 

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FRS9230H Datasheet (PDF)

 7.1. Size:49K  intersil
 frs9230.pdf pdf_icon

FRS9230H

FRS9230D, FRS9230R,FRS9230H4A, -200V, 1.32 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 4A, -200V, RDS(on) = 1.32TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

 9.1. Size:48K  intersil
 frs9240.pdf pdf_icon

FRS9230H

FRS9240D, FRS9240R,FRS9240H7A, -200V, 0.735 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 7A, -200V, RDS(on) = 0.735TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S

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