FRS9230H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRS9230H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 158 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.32 Ohm

Encapsulados: TO257AA

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FRS9230H datasheet

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FRS9230H

FRS9230D, FRS9230R, FRS9230H 4A, -200V, 1.32 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 4A, -200V, RDS(on) = 1.32 TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

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FRS9230H

FRS9240D, FRS9240R, FRS9240H 7A, -200V, 0.735 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 7A, -200V, RDS(on) = 0.735 TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S

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