UT60N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UT60N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-251 TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT60N03

UT60N03 Datasheet (PDF)

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ut60n03.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT60N03 Power MOSFET 30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 1TO-252 DESCRIPTION This device employs advanced MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance. Optimized for switching applications, this device improves the 1overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher TO-251switchi

0.1. Size:247K utc
ut60n03l-ta3-t ut60n03g-ta3-t ut60n03l-tm3-t ut60n03g-tm3-t ut60n03l-tn3-r ut60n03g-tn3-r ut60n03l-tnd-r ut60n03g-tnd-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT60N03 Power MOSFET 30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 1 1 DESCRIPTION TO-220TO-251This device employs advanced MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance. Optimized for switching applications, this device improves the overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switch

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Liste

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