UT60N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT60N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220 TO-251 TO-252
- Selección de transistores por parámetros
UT60N03 Datasheet (PDF)
ut60n03.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT60N03 Power MOSFET 30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 1TO-252 DESCRIPTION This device employs advanced MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance. Optimized for switching applications, this device improves the 1overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher TO-251switchi
ut60n03l-ta3-t ut60n03g-ta3-t ut60n03l-tm3-t ut60n03g-tm3-t ut60n03l-tn3-r ut60n03g-tn3-r ut60n03l-tnd-r ut60n03g-tnd-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT60N03 Power MOSFET 30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 1 1 DESCRIPTION TO-220TO-251This device employs advanced MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance. Optimized for switching applications, this device improves the overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switch
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History: 2SJ362 | PMN50UPE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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