UT7410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UT7410
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT7410

UT7410 Datasheet (PDF)

..1. Size:280K utc
ut7410.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT7410 Preliminary Power MOSFET 30V, 24A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT7410 is an N-channel enhancement MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide the customers with perfect RDS(ON) and low gate charge. The UTC UT7410 is suitable for Load Switch and DC-DCconverters applications, etc. FEATURES

0.1. Size:342K central
cmut7410.pdf

CMUT3410 NPNCMUT7410 PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT3410, and SILICON TRANSISTORSCMUT7410, are low VCE(SAT) silicon transistors in an ULTRAmini surface mount package designed for small signal general purpose amplifier and switching applications, requiring low collector emitter saturation voltage.

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Liste

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