UT75N03 Todos los transistores

 

UT75N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UT75N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252 TO-220
 

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UT75N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  utc
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UT75N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT75N03 Preliminary Power MOSFET 75A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET 1TO-252 DESCRIPTION The UTC UT75N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM 1applications. TO-251 FEATURES * RDS(ON)

 8.1. Size:141K  utc
 ut75n02.pdf pdf_icon

UT75N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT75N02 Preliminary Power MOSFET 75A, 25V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO- 251The UTC UT75N02 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 1 FEATURES TO-220* RDS(ON)

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History: IRF9Z24NPBF | IRFIZ48VPBF | UTD408 | AOT66918L

 

 
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