UTD420 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UTD420
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Encapsulados: TO-252
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UTD420 datasheet
utd420.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD420 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 28m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain *Pb-free plating product number UTD420L 1.Gate 3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing No
Otros transistores... UT65N03, UT70N03L, UT7410, UT75N03, UT85N03, UT90N03, UT9971P, UTD408, 20N50, UTD436, UTD454, UTD484, UTF1404, UTL1426, UTM3023, UTT100N05, UTT108N03
History: FQD19N10TM
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
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