UTD420 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UTD420
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UTD420

UTD420 Datasheet (PDF)

..1. Size:202K utc
utd420.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD420 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 28m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain*Pb-free plating product number: UTD420L1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing No

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Liste

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