UTD454 Todos los transistores

 

UTD454 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UTD454
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

UTD454 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  utc
 utd454.pdf pdf_icon

UTD454

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD454 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTD454 is an N-channel enhancement MOSFETproviding perfect RDS(ON) and low gate charge with UTC advanced technology. The UTC UTD454 is intended for being used in PWM, load switching and general purpose applications. FEATURES * RDS(ON)

 9.1. Size:216K  utc
 utd452.pdf pdf_icon

UTD454

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD452 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD452 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

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History: ME2306BS-G | NVD14N03R

 

 
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