RD02MUS1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RD02MUS1B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: SLP
Búsqueda de reemplazo de RD02MUS1B MOSFET
RD02MUS1B Datasheet (PDF)
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History: RD3G500GN | SSM20P02GJ | DHF9Z24 | SIB408DK | IRHMJ57260SE | IRHMS57260SE | SSR1N60B
History: RD3G500GN | SSM20P02GJ | DHF9Z24 | SIB408DK | IRHMJ57260SE | IRHMS57260SE | SSR1N60B



Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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