RD07MVS1 Todos los transistores

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RD07MVS1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RD07MVS1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Empaquetado / Estuche: SLP

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RD07MVS1 Datasheet (PDF)

1.1. rd07mvs1b.pdf Size:224K _mitsubishi

RD07MVS1
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MITSUBISHI RF POWER MOS FET ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS RD07MVS1B RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,520MHz,7W DESCRIPTION OUTLINE DRAWING RD07MVS1B is a MOS FET type transistor 4.6+/-0.05 specifically designed for VHF/UHF RF power 3.3+/-0.05 amplifiers applications. 0.8+/-0.05 6.0+/-0.15 0.2+/-0.05 RD07MVS1B improved a dr

1.2. rd07mvs1.pdf Size:271K _mitsubishi

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MITSUBISHI RF POWER MOS FET ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS RD07MVS1 RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,520MHz,7W DESCRIPTION OUTLINE DRAWING RD07MVS1 is a MOS FET type transistor 4.6+/-0.05 specifically designed for VHF/UHF RF 3.3+/-0.05 power amplifiers applications. 0.8+/-0.05 6.0+/-0.15 0.2+/-0.05 1 FEATURES 2 High po

3.1. rd07mvs2.pdf Size:276K _mitsubishi

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RD07MVS1

MITSUBISHI RF POWER MOS FET ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS RD07MVS2 RoHS Compliance,Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,520MHz,7W DESCRIPTION OUTLINE DRAWING RD07MVS2 is a MOS FET type transistor 4.6+/-0.05 specifically designed for VHF/UHF RF po 3.3+/-0.05 -wer amplifiers applications. 0.8+/-0.05 6.0+/-0.15 0.2+/-0.05 This device have an inte

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