RD09MUP2 Todos los transistores

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RD09MUP2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RD09MUP2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 83 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

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RD09MUP2 Datasheet (PDF)

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RD09MUP2
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MITSUBISHI RF POWER MOS FET ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS RD09MUP2 RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 520MHz, 8W (a) (b) (b) DESCRIPTION 7.0+/-0.2 0.2+/-0.05 8.0+/-0.2 RD09MUP2 is a MOS FET type transistor specifically designed for UHF RF power amplifiers applications. (d) FEATURES (4.5) 2.6+/-0.2 0.95+/-0.2 •High power ga

Otros transistores... RD02MUS1 , RD02MUS1B , RD02MUS2 , RD05MMP1 , RD06HHF1 , RD07MVS1 , RD07MVS1B , RD07MVS2 , IRF510 , RD100HHF1 , RD12MVP1 , RD15HVF1 , RD16HHF1 , RD30HVF1 , RD45HMF1 , RD60HUF1 , RD70HHF1 .

 


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