RD70HVF1 Todos los transistores

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RD70HVF1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RD70HVF1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Empaquetado / Estuche: Ceramic_Large

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RD70HVF1 Datasheet (PDF)

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RD70HVF1
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MITSUBISHI RF POWER MOS FET ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS RD70HVF1 RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz70W 520MHz,50W OUTLINE DRAWING DESCRIPTION 25.0+/-0.3 RD70HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF High power amplifiers 7.0+/-0.5 11.0+/-0.3 applications. 4-C2 1 FEATURES High power and High Ga

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RD70HVF1
RD70HVF1

MITSUBISHI RF POWER MOS FET ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS RD70HHF1 Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,70W OUTLINE DRAWING DESCRIPTION 25.0+/-0.3 RD70HHF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for HF High power amplifiers applications. 7.0+/-0.5 11.0+/-0.3 4-C2 1 FEATURES •High power and High Gain: Pout>70W, Gp>13dB @Vdd=12

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