RD70HVF1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RD70HVF1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Encapsulados: CERAMIC LARGE
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RD70HVF1 datasheet
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History: BR10N60 | IRFP462
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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