SIF2N65C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIF2N65C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220FP TO-251 TO-251S TO-252 TO-126 TO-126S
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SIF2N65C Datasheet (PDF)
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History: NTMS4939NR2G | WMO14N65C4
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Liste
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