MBNP2074G6 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

MBNP2074G6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MBNP2074G6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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MBNP2074G6 datasheet

..1. Size:316K cystek
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Spec. No. C196G6 Issued Date 2011.01.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N- Channel Enhancement mode MOSFET AND PNP BJT Complex Device MBNP2074G6 Description The MBNP2074G6 consists of a N-channel enhancement-mode MOSFET and a PNP BJT in a single TSOP-6 package, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device

8.1. Size:317K cystek
mbnp2026g6.pdf pdf_icon

Spec. No. C197G6 Issued Date 2011.01.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N- Channel Enhancement mode MOSFET AND PNP BJT Complex Device MBNP2026G6 Description The MBNP2026G6 consists of a N-channel enhancement-mode MOSFET and a PNP BJT in a single TSOP-6 package, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device

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