FSF250R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FSF250R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254AA
Búsqueda de reemplazo de FSF250R MOSFET
FSF250R Datasheet (PDF)
fsf250.pdf
FSF250D, FSF250R24A, 200V, 0.110 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 24A, 200V, rDS(ON) = 0.110 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD
fsf254.pdf
FSF254D, FSF254R18A, 250V, 0.170 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 18A, 250V, rDS(ON) = 0.170 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD
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History: FDP8878
History: FDP8878
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