MTB25P04V8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTB25P04V8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 222 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTB25P04V8

MTB25P04V8 Datasheet (PDF)

..1. Size:373K cystek
mtb25p04v8.pdf

Spec. No. : C878V8 Issued Date : 2014.03.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -40VMTB25P04V8 ID -27ARDSON@VGS=-10V, ID=-10A 13 m(typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-6A 19 m(typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating and halogen-free packag

7.1. Size:339K cystek
mtb25p06fp.pdf

Spec. No. : C584FP Issued Date : 2014.07.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VMTB25P06FP ID -52ARDS(ON)@VGS=-10V, ID=-20A 18.8m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-20A 21.8m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circu

9.1. Size:367K cystek
mtb25n04j3.pdf

Spec. No. : C884J3 Issued Date : 2012.12.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.14 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB25N04J3 ID 29ARDS(ON)@VGS=10V, ID=12A 20m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 27m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalen

9.2. Size:436K cystek
mtb25c04q8.pdf

Spec. No. : C955Q8 Issued Date : 2015.03.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTB25C04Q8 BVDSS 40V -40VID @ TA=25C, VGS=10V(-10V) 5.7A -4.9AID @ TA=70C, VGS=10V(-10V) 4.8A -4.1AID @ TC=25C, VGS=10V(-10V) 10A -8.6AID @ TC=100C, VGS=10V(-10V) 7.1A -6.1ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 21.

9.3. Size:307K cystek
mtb25a04q8.pdf

Spec. No. : C884Q8 Issued Date : 2013.02.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.30 Page No. : 1/9 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB25A04Q8 ID 12ARDSON@VGS=10V, ID=8A 20m(typ)RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 26m(typ)Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Dual N-ch MOSFET package Pb

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Liste

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