MTB6D0N03AH8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTB6D0N03AH8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 153 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTB6D0N03AH8

MTB6D0N03AH8 Datasheet (PDF)

..1. Size:425K cystek
mtb6d0n03ah8.pdf

Spec. No. : C709H8 Issued Date : 2014.03.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2014.04.30 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03AH8BVDSS 30VID 56ARDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 6.8 m(typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 10.4 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dy

4.1. Size:424K cystek
mtb6d0n03ath8.pdf

Spec. No. : C709H8 Issued Date : 2014.04.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03ATH8BVDSS 30VID 56ARDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 6.8 m(typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 10.4 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/d

4.2. Size:361K cystek
mtb6d0n03atv8.pdf

Spec. No. : C709V8 Issued Date : 2013.10.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03ATV8BVDSS 30VID 12.5A6.7m VGS=10V, ID=12A RDSON(TYP) Features 9.7m VGS=4.5V, ID=8A Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt rating

5.1. Size:425K cystek
mtb6d0n03bh8.pdf

Spec. No. : CA00H8 Issued Date : 2015.02.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03BH8BVDSS 30VID 56ARDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 6.4 m(typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 10.4 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt

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Liste

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