MTDA0N10L3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTDA0N10L3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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MTDA0N10L3 datasheet

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MTDA0N10L3

Spec. No. C870L3 Issued Date 2014.04.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTDA0N10L3 ID 3.9A RDSON@VGS=10V, ID=3A 77m (typ) RDSON@VGS=5V, ID=2A 87m (typ) Description The MTDA0N10L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, rugge

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MTDA0N10L3

Spec. No. C870J3 Issued Date 2012.07.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTDA0N10J3 ID 16A 80m VGS=10V, ID=12A RDSON(TYP) 96m VGS=5V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit O

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MTDA0N10L3

Otros transistores... MTC8958Q8, MTD06N04Q8, MTD120C10KJ4, MTD120C10KQ8, MTD140P15J3, MTD30N10Q8, MTD55N10Q8, MTDA0N10J3, IRF4905, MTDA0P10FP, MTDA4N20J3, MTDE5P10N3, MTDK1S6R, MTDK3S6R, MTDK5S6R, MTDN1034C6, MTDN138ZS6R