MTDA0N10L3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTDA0N10L3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTDA0N10L3

MTDA0N10L3 Datasheet (PDF)

..1. Size:356K cystek
mtda0n10l3.pdf

Spec. No. : C870L3 Issued Date : 2014.04.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTDA0N10L3ID 3.9ARDSON@VGS=10V, ID=3A 77m(typ) RDSON@VGS=5V, ID=2A 87m(typ) Description The MTDA0N10L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, rugge

6.1. Size:312K cystek
mtda0n10j3.pdf

Spec. No. : C870J3 Issued Date : 2012.07.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTDA0N10J3 ID 16A80m VGS=10V, ID=12A RDSON(TYP) 96m VGS=5V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit O

9.1. Size:295K cystek
mtda0p10fp.pdf

Spec. No. : C733FP Issued Date : 2011.03.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTDA0P10FP ID -22A120m Features RDSON(MAX) Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-220FP MTDA0P10FP GGate DDrain S

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Liste

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