MTDN1034C6 Todos los transistores

 

MTDN1034C6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTDN1034C6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-563
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTDN1034C6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  cystek
 mtdn1034c6.pdf pdf_icon

MTDN1034C6

Spec. No. : C833C6 Issued Date : 2012.08.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.27 Page No. : 1/ 8 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN1034C6 BVDSS 30VID 0.3AVGS=4.5V, ID=200mA 0.85 Features VGS=2.5V, ID=175mA 1.23 RDSON(TYP) High speed switching VGS=1.8V, ID=150mA 1.8 Low-voltage drive(1.5V) VGS=1.5V, ID=40mA 2.3 Easily desig

 9.1. Size:274K  cystek
 mtdn138zs6r.pdf pdf_icon

MTDN1034C6

Spec. No. : C320S6R Issued Date : 2012.08.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.19 Page No. : 1/ 7 N-Channel MOSFET (dual transistors) MTDN138ZS6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free lead plating and halogen-free p

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SML50A19 | AON6974 | NCE20P05Y | SM8A03NSF | 2N7063 | 3SK100 | NCE0160AG

 

 
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