MTDN8810T8 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

MTDN8810T8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTDN8810T8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0175 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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MTDN8810T8 datasheet

..1. Size:416K cystek
mtdn8810t8.pdf pdf_icon

Spec. No. C582T8 Issued Date 2013.07.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.03 Page No. 1/8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTDN8810T8 ID 5A RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 17.5m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=2.6A 25m (typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=1A 41m (typ) Description The MTDN8810T8 is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer w

6.1. Size:468K cystek
mtdn8810at8.pdf pdf_icon

Spec. No. C779T8 Issued Date 2014.04.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTDN8810AT8 ID 5A RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 17.5m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=2.6A 25m (typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=1A 41m (typ) Features 1.8V drive available Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead pl

9.1. Size:358K cystek
mtdn8233cdv8.pdf pdf_icon

Spec. No. C911V8 Issued Date 2013.12.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 Common Drain Dual N -Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTDN8233CDV8 ID VGS=4.5V 10A 8.1m VGS=4.5V, ID=5.5A VGS=4.0V, ID=5.5A 8.4m VGS=3.7V, ID=5.5A RDSON (TYP.) 8.6 m Features VGS=3.1V, ID=5.5A 9.4 m Simple drive requirement VGS=2.5V, ID=5.5A 10

9.2. Size:380K cystek
mtdn8233x6.pdf pdf_icon

Spec. No. C911X6 Issued Date 2013.07.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.28 Page No. 1/9 Dual N -Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTDN8233X6 ID VGS=4.5V 11A 6.0m VGS=4.5V, ID=5.5A VGS=4.0V, ID=5.5A 6.0m VGS=3.7V, ID=5.5A RDSON (TYP.) 6.2 m VGS=3.1V, ID=5.5A 6.7 m VGS=2.5V, ID=5.5A 7.8 m Description The MTDN8233X6 consi

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