MTE1K0P15KN3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTE1K0P15KN3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.69 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.4 V
Carga de la puerta (Qg): 7 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.01 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTE1K0P15KN3
MTE1K0P15KN3 Datasheet (PDF)
mte1k0p15kn3.pdf
Spec. No. : C941N3 Issued Date : 2013.11.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -150VID -0.69AVGS=-10V, ID=-0.5A 1.01 MTE1K0P15KN3 RDSON(TYP) VGS=-6V, ID=-0.5A 1.11 Features ESD protected 2.5KVAdvanced trench process technology High density cell design for ultra low on resistancePb-free
mte1k8n25km3.pdf
Spec. No. : C929M3 Issued Date : 2013.08.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.09 Page No. : 1/8 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTE1K8N25KM3 ID 1ARDS(ON)@VGS=10V, ID=0.5A 1.33(typ) RDS(ON)@VGS=10V, ID=1A 1.4(typ) Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=2A 1.63(typ) Low Gate Charge RDS(ON)@VGS=6V, ID=0.5A 1.35(typ) Simple Driv
mte1k8n25kj3.pdf
Spec. No. : C929J3 Issued Date : 2013.07.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTE1K8N25KJ3 ID 2.5ARDS(ON)@VGS=10V, ID=2A 1.63(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=1A 1.41(typ) Features Low gate charge Simple drive requirement Pb-free lead plating and halogen-free package ESD
mte1k8n25j3.pdf
Spec. No. : C890J3 Issued Date : 2012.12.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTE1K8N25J3 ID 2.5ARDS(ON)@VGS=10V, ID=1A 1.71(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=1A 1.72(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalen
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