MTE1K0P15KN3 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

MTE1K0P15KN3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTE1K0P15KN3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.69 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.01 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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MTE1K0P15KN3 datasheet

..1. Size:311K cystek
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Spec. No. C941N3 Issued Date 2013.11.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -150V ID -0.69A VGS=-10V, ID=-0.5A 1.01 MTE1K0P15KN3 RDSON(TYP) VGS=-6V, ID=-0.5A 1.11 Features ESD protected 2.5KV Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on resistance Pb-free

9.1. Size:352K cystek
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Spec. No. C929M3 Issued Date 2013.08.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.09 Page No. 1/8 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250V MTE1K8N25KM3 ID 1A RDS(ON)@VGS=10V, ID=0.5A 1.33 (typ) RDS(ON)@VGS=10V, ID=1A 1.4 (typ) Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=2A 1.63 (typ) Low Gate Charge RDS(ON)@VGS=6V, ID=0.5A 1.35 (typ) Simple Driv

9.2. Size:306K cystek
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Spec. No. C929J3 Issued Date 2013.07.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250V MTE1K8N25KJ3 ID 2.5A RDS(ON)@VGS=10V, ID=2A 1.63 (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=1A 1.41 (typ) Features Low gate charge Simple drive requirement Pb-free lead plating and halogen-free package ESD

9.3. Size:306K cystek
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Spec. No. C890J3 Issued Date 2012.12.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250V MTE1K8N25J3 ID 2.5A RDS(ON)@VGS=10V, ID=1A 1.71 (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=1A 1.72 (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalen

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