FSJ264R Todos los transistores

 

FSJ264R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FSJ264R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

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FSJ264R Datasheet (PDF)

 8.1. Size:57K  intersil
 fsj264.pdf pdf_icon

FSJ264R

FSJ264D, FSJ264R33A, 250V, 0.080 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 33A, 250V, rDS(ON) = 0.080 The Discrete Products Operation of Intersil has developed aseries of Radiation Hardened MOSFETs specifically Total Dosedesigned for commercial and military space applications.- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)Enha

 9.1. Size:55K  intersil
 fsj260.pdf pdf_icon

FSJ264R

FSJ260D, FSJ260R44A, 200V, 0.050 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 44A, 200V, rDS(ON) = 0.050 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dosespecifically designed for commercial and military space- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)appli

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History: IXTC62N15P | IXFH60N65X2

 

 
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