MTN20NF06J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTN20NF06J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 67 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 146 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0106 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTN20NF06J3

MTN20NF06J3 Datasheet (PDF)

..1. Size:357K cystek
mtn20nf06j3.pdf

Spec. No. : C431J3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2008.12.11 Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTN20NF06J3 ID 60ARDSON 10.6m(typ) Features Low Gate Charge Repetitive Avalanche Rated Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline MTN

8.1. Size:324K cystek
mtn20n20f3.pdf

Spec. No. : C801F3 Issued Date : 2010.05.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 200V RDS(ON) : 90m (typ.) MTN20N20F3 ID : 20A Description The MTN20N20F3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistanc

9.1. Size:262K cystek
mtn2002zw3.pdf

Spec. No. : C447W3 Issued Date : 2010.07.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mAMTN2002ZW3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTN2002ZW3 SOT-923 D SG GGa

9.2. Size:264K cystek
mtn2002zs3.pdf

Spec. No. : C447S3 Issued Date : 2009.04.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.09 Page No. : 1/7 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mAMTN2002ZS3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTN2002ZS3 SOT-323 D S

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Liste

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