MTN2572FP MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

MTN2572FP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN2572FP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: TO-220FP

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MTN2572FP datasheet

..1. Size:299K cystek
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Spec. No. C434FP Issued Date 2013.10.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTN2572FP ID 48A RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 34 m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 38m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating

6.1. Size:352K cystek
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Spec. No. C434F3 Issued Date 2010.09.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V ID 48A MTN2572F3 RDS(ON) 50m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline MTN2572F3 TO-263

7.1. Size:304K cystek
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Spec. No. C434J3 Issued Date 2008.12.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTN2572J3 BVDSS 150V ID 36A RDS(ON) 50m (max.) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS co

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mtn2572h8.pdf pdf_icon

Spec. No. C434H8 Issued Date 2013.09.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.12 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTN2572H8 ID 32A 36m VGS=10V, ID=20A 36m RDSON(TYP) VGS=10V, ID=12A 38m VGS=6V, ID=6A Description The MTN2572H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combinat

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