MTN6N65FP Todos los transistores

 

MTN6N65FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTN6N65FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTN6N65FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  cystek
 mtn6n65fp.pdf pdf_icon

MTN6N65FP

Spec. No. : C597FP Issued Date : 2010.01.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.01.13 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 1.23 (typ.) MTN6N65FP ID : 6A Description The MTN6N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

 9.1. Size:274K  cystek
 mtn6n70fp.pdf pdf_icon

MTN6N65FP

Spec. No. : C597FP Issued Date : 2010.01.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.10.24 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 700V RDS(ON) : 1.23 (typ.) MTN6N70FP ID : 6A Description The MTN6N70FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCE6003XY | STFW3N150 | KIA2N60H-220 | QM6006S | P0770ETF | AP4506GEM | CI47N65

 

 
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