MTN6N65FP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN6N65FP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.23 Ohm

Encapsulados: TO-220FP

 Búsqueda de reemplazo de MTN6N65FP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MTN6N65FP datasheet

 ..1. Size:276K  cystek
 mtn6n65fp.pdf pdf_icon

MTN6N65FP

Spec. No. C597FP Issued Date 2010.01.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.01.13 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 1.23 (typ.) MTN6N65FP ID 6A Description The MTN6N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

 9.1. Size:274K  cystek
 mtn6n70fp.pdf pdf_icon

MTN6N65FP

Spec. No. C597FP Issued Date 2010.01.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.24 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 700V RDS(ON) 1.23 (typ.) MTN6N70FP ID 6A Description The MTN6N70FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

Otros transistores... MTN5N60J3, MTN5N65FP, MTN60NF06LJ3, MTN6515E3, MTN6515F3, MTN6515H8, MTN6515J3, MTN6680Q8, AON7410, MTN6N70FP, MTN7000A3, MTN7000ZA3, MTN7000ZHA3, MTN7002N3, MTN7002S3, MTN7002ZAS3, MTN7002ZHN3