MTN7451Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTN7451Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTN7451Q8

MTN7451Q8 Datasheet (PDF)

..1. Size:432K cystek
mtn7451q8.pdf

Spec. No. : C841Q8 Issued Date : 2012.06.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2016.04.18 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN7451Q8 ID @ TA=25C, VGS=10V 4.5A RDS(ON)@VGS=10V, ID=4.5A 55 m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=3.3A 59 m(typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=2A 65 m(typ) Description The MTN7451Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFE

7.1. Size:303K cystek
mtn7451j3.pdf

Spec. No. : C841J3 Issued Date : 2012.05.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN7451J3 ID 24ARDS(ON)@VGS=10V, ID=4A 54m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=2A 57m(typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant

9.1. Size:379K cystek
mtn7478q8.pdf

Spec. No. : C925Q8 Issued Date : 2014.02.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60VMTN7478Q8ID 7ARDSON@VGS=10V, ID=7A 14m (typ.) RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 16m (typ.) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt rating Rep

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Liste

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