MTN7451Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN7451Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTN7451Q8 datasheet

 ..1. Size:432K  cystek
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MTN7451Q8

Spec. No. C841Q8 Issued Date 2012.06.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2016.04.18 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTN7451Q8 ID @ TA=25 C, VGS=10V 4.5A RDS(ON)@VGS=10V, ID=4.5A 55 m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=3.3A 59 m (typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=2A 65 m (typ) Description The MTN7451Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFE

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MTN7451Q8

Spec. No. C841J3 Issued Date 2012.05.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTN7451J3 ID 24A RDS(ON)@VGS=10V, ID=4A 54m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=2A 57m (typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant

 9.1. Size:379K  cystek
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MTN7451Q8

Spec. No. C925Q8 Issued Date 2014.02.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60V MTN7478Q8 ID 7A RDSON@VGS=10V, ID=7A 14m (typ.) RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 16m (typ.) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt rating Rep

Otros transistores... MTN7002N3, MTN7002S3, MTN7002ZAS3, MTN7002ZHN3, MTN7002ZHS3, MTN7002ZN3, MTN7002ZS3, MTN7451J3, AO4407, MTN7478Q8, MTN7N60E3, MTN7N60FP, MTN7N65FP, MTN8N50E3, MTN8N50FP, MTN8N60E3, MTN8N60FP