MTN7478Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN7478Q8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
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MTN7478Q8 Datasheet (PDF)
mtn7478q8.pdf
Spec. No. : C925Q8 Issued Date : 2014.02.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60VMTN7478Q8ID 7ARDSON@VGS=10V, ID=7A 14m (typ.) RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 16m (typ.) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt rating Rep
mtn7451q8.pdf
Spec. No. : C841Q8 Issued Date : 2012.06.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2016.04.18 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN7451Q8 ID @ TA=25C, VGS=10V 4.5A RDS(ON)@VGS=10V, ID=4.5A 55 m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=3.3A 59 m(typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=2A 65 m(typ) Description The MTN7451Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFE
mtn7451j3.pdf
Spec. No. : C841J3 Issued Date : 2012.05.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN7451J3 ID 24ARDS(ON)@VGS=10V, ID=4A 54m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=2A 57m(typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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