MTN9240J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN9240J3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MTN9240J3 MOSFET
MTN9240J3 Datasheet (PDF)
mtn9240j3.pdf
Spec. No. : C574J3 Issued Date : 2012.08.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN9240J3 ID 33ARDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 36m(typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=25A 38m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=25A 39m(typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switch
Otros transistores... MTN8N50E3 , MTN8N50FP , MTN8N60E3 , MTN8N60FP , MTN8N65E3 , MTN8N65EA , MTN8N65FP , MTN8N70FP , IRF520 , MTN9971J3 , MTN9973J3 , MTNK1N3 , MTNK1S3 , MTNK2N3 , MTNK2S3 , MTNK3C3 , MTNK3N3 .
History: IPB039N10N3GE8187 | STB25NM50N-1
History: IPB039N10N3GE8187 | STB25NM50N-1
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030

