MTNK1S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTNK1S3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.115 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.3 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-323
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTNK1S3
MTNK1S3 Datasheet (PDF)
mtnk1s3.pdf
Spec. No. C320S3 Issued Date 2007.11.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.11.12 Page No. 1/7 N-CHANNEL MOSFET MTNK1S3 Description The MTNK1S3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-
mtnk1n3.pdf
Spec. No. C320N3 Issued Date 2007.11.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.04.12 Page No. 1/7 N-CHANNEL MOSFET BVDSS 60V ID 300mA MTNK1N3 1.5 (typ.) RDSON@VGS=10V, ID=100mA 1.9 (typ.) RDSON@VGS=4.5V, ID=100mA Description The MTNK1N3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching
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Liste
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