MTNK1S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTNK1S3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 0.115 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 9.3 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOT-323
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTNK1S3
MTNK1S3 Datasheet (PDF)
1.1. mtnk1s3.pdf 
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Spec. No. : C320S3 Issued Date : 2007.11.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2009.11.12 Page No. : 1/7 N-CHANNEL MOSFET MTNK1S3 Description The MTNK1S3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features • Low on-resistance • High ESD • High speed switching • Low-voltage drive(4V) • Easily designed drive circuits • Easy to use in parallel • Pb-
5.1. mtnk1n3.pdf Size:270K _cystek
Spec. No. : C320N3 Issued Date : 2007.11.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date :2012.04.12 Page No. : 1/7 N-CHANNEL MOSFET BVDSS 60V ID 300mA MTNK1N3 1.5Ω(typ.) RDSON@VGS=10V, ID=100mA 1.9Ω(typ.) RDSON@VGS=4.5V, ID=100mA Description The MTNK1N3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features • Low on-resistance • High ESD • High speed switching •
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