MTNK1S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTNK1S3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.115 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 9.3 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTNK1S3

MTNK1S3 Datasheet (PDF)

1.1. mtnk1s3.pdf Size:258K _cystek

Spec. No. : C320S3 Issued Date : 2007.11.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2009.11.12 Page No. : 1/7 N-CHANNEL MOSFET MTNK1S3 Description The MTNK1S3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features • Low on-resistance • High ESD • High speed switching • Low-voltage drive(4V) • Easily designed drive circuits • Easy to use in parallel • Pb-

5.1. mtnk1n3.pdf Size:270K _cystek

Spec. No. : C320N3 Issued Date : 2007.11.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date :2012.04.12 Page No. : 1/7 N-CHANNEL MOSFET BVDSS 60V ID 300mA MTNK1N3 1.5Ω(typ.) RDSON@VGS=10V, ID=100mA 1.9Ω(typ.) RDSON@VGS=4.5V, ID=100mA Description The MTNK1N3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features • Low on-resistance • High ESD • High speed switching •

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Liste

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