MTNK2S3 Todos los transistores

 

MTNK2S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTNK2S3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MTNK2S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  cystek
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MTNK2S3

Spec. No. : C320S3 Issued Date : 2007.11.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.09 Page No. : 1/7 N-CHANNEL MOSFET MTNK2S3 Description The MTNK2S3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-

 9.1. Size:279K  cystek
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MTNK2S3

Spec. No. : C403N3 Issued Date : 2006.05.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.12.13 Page No. : 1/7 N-CHANNEL MOSFET MTNK2N3 Description The MTNK2N3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-f

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