MTNK2S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTNK2S3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-323
Búsqueda de reemplazo de MTNK2S3 MOSFET
MTNK2S3 Datasheet (PDF)
mtnk2s3.pdf

Spec. No. : C320S3 Issued Date : 2007.11.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.09 Page No. : 1/7 N-CHANNEL MOSFET MTNK2S3 Description The MTNK2S3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-
mtnk2n3.pdf

Spec. No. : C403N3 Issued Date : 2006.05.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.12.13 Page No. : 1/7 N-CHANNEL MOSFET MTNK2N3 Description The MTNK2N3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-f
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Liste
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