MTNK3S3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTNK3S3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm

Encapsulados: SOT-323

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MTNK3S3 datasheet

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MTNK3S3

Spec. No. C447S3 Issued Date 2009.04.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.06.18 Page No. 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mA MTNK3S3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTNK3S3 SOT-323 D S G G

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MTNK3S3

Spec. No. C447W3 Issued Date 2010.07.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mA MTNK3W3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTNK3W3 SOT-923 D S G G Gate S

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MTNK3S3

Spec. No. C447Y3 Issued Date 2011.02.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.05 Page No. 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V MTNK3Y3 ID 255mA RDSON@VGS=4.5V, ID=255mA 1.7 (typ.) RDSON@VGS=2.5V, ID=20mA 2.2 (typ.) RDSON@VGS=1.8V, ID=20mA 3.5 (typ.) Description Low voltage drive, 1.8V. RDSON@VGS=1.6V, ID=20mA 4.1 (typ.) Easy to use in

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MTNK3S3

Spec. No. C447C3 Issued Date 2011.09.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mA MTNK3C3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V. Easy to use in parallel. High speed switching. ESD protected device. Pb-free package. Symbol Outline MTNK3C3 SOT-523 D S G G

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