MTNN8453KQ8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTNN8453KQ8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2(2) W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8(8.9) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79(105) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTNN8453KQ8
MTNN8453KQ8 Datasheet (PDF)
mtnn8453kq8.pdf
Spec. No. : C560Q8 Issued Date : 2012.04.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2MTNN8453KQ8 BVDSS 30V 30VID 6.8A 8.9ARDSON(TYP.)@VGS=10V 15m 15m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 23m 23m Description The MTNN8453KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate charge. DS
mtnn8451kq8.pdf
Spec. No. : C558Q8 Issued Date : 2012.04.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.04.30 Page No. : 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2MTNN8451KQ8 BVDSS 30V 30VID 6.8A 10.2ARDSON(TYP.)@VGS=10V 15m 11m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 23m 18m Description The MTNN8451KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate
mtnn8452kq8.pdf
Spec. No. : C559Q8 Issued Date : 2012.04.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.04.30 Page No. : 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2MTNN8452KQ8 BVDSS 30V 30VID 8A 10.2ARDSON(TYP.)@VGS=10V 11m 11m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 18m 18m Description The MTNN8452KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate ch
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918