MTP2603Q6 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

MTP2603Q6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP2603Q6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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MTP2603Q6 datasheet

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Spec. No. C394Q6 Issued Date 2006.11.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/5 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP2603Q6 Description The MTP2603Q6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TSOP-6 package is u

7.1. Size:347K cystek
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Spec. No. C394G6 Issued Date 2006.11.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.11.21 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V ID -5A MTP2603G6 RDSON@VGS=-10V, ID=-4.5A 35m (typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.2A 41m (typ.) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-2A 55m (typ.) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-1A 60m (typ.) Description The MTP2603G6 is a P-channel enhancemen

7.2. Size:397K cystek
mtp2603n6.pdf pdf_icon

Spec. No. C394N6 Issued Date 2007.12.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.31 Page No. 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP2603N6 Description The MTP2603N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOT-26 pac

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JMTP260N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 8A Load Switch RDS(ON)

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