MTP3LP01Y3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP3LP01Y3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11.9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SOT-723

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MTP3LP01Y3 datasheet

 ..1. Size:331K  cystek
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MTP3LP01Y3

Spec. No. 794Y3 Issued Date 2011.12.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V ID -230mA MTP3LP01Y3 3 @-4V 4.6 @-2.5V RDSON(typ) 10.9 @-1.5V Features Ultra high speed switching. Low gate charge. 2.5V drive. Pb-free package lead plating and halogen-free package. Equiva

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MTP3LP01Y3

Spec. No. 794N3 Issued Date 2011.03.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.09 Page No. 1/ 9 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V ID -230mA MTP3LP01S3 3 @-4V 4.6 @-2.5V RDSON(typ) 10.9 @-1.5V Features Ultra high speed switching. Low gate charge. 2.5V drive. Pb-free package. Equivalent Circuit Outline MTP3

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MTP3LP01Y3

Spec. No. 794N3 Issued Date 2010.06.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.01.17 Page No. 1/ 9 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V ID -230mA MTP3LP01N3 3 @-4V 4.6 @-2.5V RDSON(typ) 10.9 @-1.5V Features Ultra high speed switching. Low gate charge. 2.5V drive. Pb-free lead plating and halogen-free package. Equ

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