MTP4409Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP4409Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 56 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 498 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0077 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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MTP4409Q8 Datasheet (PDF)

..1. Size:336K cystek
mtp4409q8.pdf

Spec. No. : C808Q8 Issued Date : 2012.04.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.16 Page No. : 1/9 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30V MTP4409Q8 ID -15A RDSON@VGS=-10V, ID=-15A 7.7m(typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-10A 11.4m(typ)Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free and Halogen-free

7.1. Size:284K cystek
mtp4409h8.pdf

Spec. No. : C808H8 Issued Date : 2013.09.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP4409H8ID -15A7.3m VGS=-10V, ID=-15A RDSON(TYP) 11m VGS=-4.5V, ID=-10A Description The MTP4409H8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast swi

8.1. Size:621K cystek
mtp4403sq8.pdf

Spec. No. : C804Q8 Issued Date : 2009.12.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20VMTP4403SQ8 RDSON(MAX) 46m ID -6.1ADescription The MTP4403SQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistan

8.2. Size:622K cystek
mtp4403q8.pdf

Spec. No. : C791Q8 Issued Date : 2010.07.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30VMTP4403Q8 RDSON(MAX) 50m ID -6.1ADescription The MTP4403Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

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Liste

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