MTP9435BDYQ8 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

MTP9435BDYQ8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP9435BDYQ8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTP9435BDYQ8 datasheet

..1. Size:295K cystek
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Spec. No. C386Q8 Issued Date 2007.06.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.03.26 Page No. 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30V MTP9435BDYQ8 ID -8.4A 22m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-7A 35m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-5A Description The MTP9435BDYQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best

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Spec. No. C386Q8 Issued Date 2007.06.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.03.26 Page No. 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP9435BDYAQ8 BVDSS -30V ID -8.4A 23m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-7A 38m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-5A Description The MTP9435BDYAQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best

7.1. Size:358K cystek
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Spec. No. C400L3 Issued Date 2009.06.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP9435L3 RDSON(MAX) 60m ID -6A Features Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating package Symbol Outline SOT-223 MTP9435L3 D S G Gate

7.2. Size:343K cystek
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Spec. No. C426Q8 Issued Date 2006.03.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.03.01 Page No. 1/8 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP9435Q8 ID -5.6A RDSON@VGS=-10V, ID=-5.3A 50m (typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.2A 75m (typ) Features Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plat

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