AO4292 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4292

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de AO4292 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AO4292 datasheet

 ..1. Size:321K  aosemi
 ao4292.pdf pdf_icon

AO4292

AO4292 100V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS MV) technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:1401K  kexin
 ao4292.pdf pdf_icon

AO4292

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4292 (KO4292) SOP-8 Features VDS (V) = 100V ID = 8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 23m (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate

 0.1. Size:394K  aosemi
 ao4292e.pdf pdf_icon

AO4292

AO4292E 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:334K  aosemi
 ao4294.pdf pdf_icon

AO4292

AO4294 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 11.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AO3442, AO3460, AO4202, AO4240, AO4260, AO4264, AO4266, AO4286, IRFZ44N, AO4302, AO4304, AO4310, AO4312, AO4314, AO4354, AO4402, AO4403