AO4312 Todos los transistores

 

AO4312 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO4312
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 36 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 685 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AO4312 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:575K  aosemi
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AO4312

AO431236V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS36VThe AO4312 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 23Afrequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:2238K  kexin
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AO4312

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4312 (KO4312)SOP-8 Features VDS (V) = 36V ID = 23 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 4.5m (VGS = 10V) RDS(ON) 6.2m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 SourceDD8 Drain4 GateGGSS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 36

 9.1. Size:570K  aosemi
ao4314.pdf pdf_icon

AO4312

AO431436V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS36VThe AO4314 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 20Afrequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:534K  aosemi
ao4310.pdf pdf_icon

AO4312

AO431036V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS36VThe AO4310 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 27Afrequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

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